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微波及光電元件實驗室◆
Microwave and
Optoelectronic Devices
Laboratory |
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近年來，隨著磊晶成長系統快速的進步，例如有機金屬化學氣相沈積系統(Metal
Organic Chemical Vapor
Deposition,
MOCVD)及分子束磊晶成長系統(Molecular
Beam Epitaxy, MBE)，使得各種新穎的異質接面結構陸續研發成功。由於化合物半導體與生俱來的特性，以及磊晶和製程技術的蓬勃發展，使得化合物半導體成為在微波通訊及光電產業不可或缺的材料。
多年來，本實驗室的研究領域著重在MOCVD磊晶、材料分析、元件設計、元件量測以及其特性分析，分別簡述如下: |
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No. |
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(一) |
三五族化合物半導體材料
AlGaAs/GaAs,InGaP/GaAs,InAlGaP/GaAs,InAlAs/InGaAs/InP以及
InAlAsSb/InP等異質材料系統 |
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(二) |
(1) 微波元件: |
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(a)
實空間傳輸元件
(Real-Space Transfer Devices) |
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(b)
高電子移動率電晶體
(High-Electron Mobility
Transistor) |
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(c)
異質接面雙極性電晶體
(Heterojunction Bipolar
Transistor) |
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(2) 光電元件: |
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(a)
發光二極體
(Light-Emitting Diode) |
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(b)
光檢測器
(Photodetector) |
