回實驗室首頁               實 驗 設 備 介 紹

 電感電容電阻計

HP4284A      

簡述:用以測量電容及介電損失、介電常數及導電率

 

 

 

 

 

 

Kcithley 6517A      

量測絕緣體的電壓電流

 

 

 

 

 

 

 

·         PVD

    全名:射頻磁控濺鍍系統                                                        

    功能:

                   壓力:10-7~760torr

                        操作溫度:200℃~800℃

        簡述:

                  利用射頻磁控濺鍍沈積複合性陶瓷薄膜 

目前研究:

                 Al2O3與TiO2複合薄膜、ZrO2與SiO2複合薄膜

      

            

·         CVD

全名:熱壁式化學氣相沈積系統                         

功能:

            壓力:10-1~760torr

    氣氛:各式氣體或蒸氣

    操作溫度:低溫~800℃

簡述:

此熱壁式CVD系統的原始設計著重於複

鍍膜的研發,因此是一十分複雜的系統,

於實驗中可同時有六條輸送線進入反應室。

目前研究:

Ti-Si-C-N硬膜系統,包括TiN,TiC,Ti-Si-C,Ti-Si-N,Ti-Si-C-N等。

 

·         PECVD

全名:電漿化學氣相沈積系統

簡述:

此系統用於低溫鍍膜研究,用於和CVD系統有一部份相同的輸送系統,因此也可進行複雜系統沈積研究。

功能:

壓力:10-1~10torr

氣氛:各式氣體或蒸氣

操作溫度:室溫~450℃

目前研究:

(1)SiO2介電薄膜

(2)Si(C,N)硬質薄膜

 

·         1700℃氣氛保護熱壓機

簡述:

此高溫熱壓機,係採用石墨加熱體加熱。緻密壓力由油壓系統提供。

功能:

油壓壓力:0~10MPa

氣氛:真空或Ar氣氛

操作溫度:800℃~1650℃

目前研究:

陶瓷/金屬功能梯度型材料

 

 

·         MoSi2高溫爐

全名:二矽化鉬高溫爐        

簡述:

此高溫爐主要是要使用於高溫空氣燒結陶瓷材料用。試片是由下而上送入爐體。與熱壓機採共同電源供應系統,可節省投資費用與節省空間。

功能:

氣氛:空氣中

操作溫度:600℃~1600℃

目前研究:

電子陶瓷塊材研究,材料包括BaTiO3,PMN,以及其多重摻雜的BaTiO3研究

 

·         1100℃高溫爐

簡介:

此係高溫煆燒爐,是製備陶瓷粉末的一必要步驟所需的爐子。

 

 

 

 

·         刮刀成型機

簡介:

此係研究積層陶瓷電容(MLCC)及積層之功能梯度材料所需的設備。主要適用於50~150µm生胚片的成型。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

·         其他設備

球磨機:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

油壓機:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

真空烘箱:      

                               

                            

回實驗室首頁