回實驗室首頁 實 驗 設 備 介 紹
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LCR Meter
電感電容電阻計
HP4284A
簡述：用以測量電容及介電損失、介電常數及導電率
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奈米電流計
Kcithley 6517A
量測絕緣體的電壓電流
· PVD
全名：射頻磁控濺鍍系統
功能：
壓力：10-7~760torr
操作溫度：200℃~800℃
簡述：
利用射頻磁控濺鍍沈積複合性陶瓷薄膜
目前研究：
Al2O3與TiO2複合薄膜、ZrO2與SiO2複合薄膜
· CVD
全名：熱壁式化學氣相沈積系統
功能：
壓力：10-1~760torr
氣氛：各式氣體或蒸氣
操作溫度：低溫~800℃
簡述：
此熱壁式CVD系統的原始設計著重於複合
鍍膜的研發，因此是一十分複雜的系統，
於實驗中可同時有六條輸送線進入反應室。
目前研究：
Ti-Si-C-N硬膜系統，包括TiN，TiC，Ti-Si-C，Ti-Si-N，Ti-Si-C-N等。
· PECVD
全名：電漿化學氣相沈積系統
簡述：
此系統用於低溫鍍膜研究，用於和CVD系統有一部份相同的輸送系統，因此也可進行複雜系統沈積研究。
功能：
壓力：10-1~10torr
氣氛：各式氣體或蒸氣
操作溫度：室溫~450℃
目前研究：
(1)SiO2介電薄膜
(2)Si(C,N)硬質薄膜
·
1700℃氣氛保護熱壓機
簡述：
此高溫熱壓機，係採用石墨加熱體加熱。緻密壓力由油壓系統提供。
功能：
油壓壓力：0~10MPa
氣氛：真空或Ar氣氛
操作溫度：800℃~1650℃
目前研究：
陶瓷/金屬功能梯度型材料
· MoSi2高溫爐
全名：二矽化鉬高溫爐
簡述：
此高溫爐主要是要使用於高溫空氣燒結陶瓷材料用。試片是由下而上送入爐體。與熱壓機採共同電源供應系統，可節省投資費用與節省空間。
功能：
氣氛：空氣中
操作溫度：600℃~1600℃
目前研究：
電子陶瓷塊材研究，材料包括BaTiO3，PMN，以及其多重摻雜的BaTiO3研究
· 1100℃高溫爐
簡介：
此係高溫煆燒爐，是製備陶瓷粉末的一必要步驟所需的爐子。
· 刮刀成型機
簡介：
此係研究積層陶瓷電容（MLCC）及積層之功能梯度材料所需的設備。主要適用於50~150µm生胚片的成型。
· 其他設備
球磨機：
油壓機：
真空烘箱：
